삼성전자, DDR3 D램 인텔 인증
2008-11-19 13:11:00
2008-11-19 13:11:00
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50나노급 2기가 … 업계 최초 삼성전자가 50나노급 2기가비트 DDR3 D램 제품에 대해 업계 최초로 인텔 인증을 획득했다고 18일 밝혔다. 이번에 인증된 제품은 2Gb DDR3 D램 단품과 데스크톱PC용 모듈인 4기가바이트 UDIMM 모듈 등 두 제품이다. 또 서버용 제품인 8GB RDIMM 을 비롯한 9종의 모듈도 현재 평가가 진행되고 있어 내년 초에는 50나노미터급 2Gb DDR3 모든 제품의 인증이 완료될 것이라고 삼성전자는 덧붙였다. 50나노급 2Gb DDR3 D램은 지난해 삼성전자가 개발한 60나노 2Gb DDR2 D램에 비해 속도가 1.6배 빠른 1.333Gbps에 달하며, 단품 칩의 크기도 작기 때문에 생산 효율이 60% 이상 높다고 삼성전자는 설명했다. 삼성전자는 특히 기존 2Gb DDR2 D램의 경우 크기가 커 ‘패키지 적층 기술’ 없이는 고용량 모듈 제작이 불가능했으나 DDR3 D램은 크기가 작아 적층 기...[전체보기] |
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